反應(yīng)離子刻蝕機(jī)主要用于介質(zhì)薄膜干法刻蝕,包括SiO2、Si3N4、SiON、SiC等。
產(chǎn)品詳情
1.氣體種類(lèi):O2、CF4、CHF3、SF6、BCl3等
2.基片尺寸:zui大支持8英寸,并向下兼容6、5、4、3、2英寸等以及破片
3.射頻電源 ICP電源:13.56MHz,1400W; 偏壓電源:13.56MHz,800W
4.工藝溫度:10℃到80℃可控
5.傳送模式:自動(dòng)Loadlock傳送系統(tǒng)
支持定制研發(fā)生產(chǎn),詳情請(qǐng)咨詢(xún)。